RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1170–1176 (Mi qe7030)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

О температурной зависимости усиления моноимпульсов в АИГ:Nd3+

В. А. Бученков, И. Б. Витрищак, В. Г. Евдокимова, Л. Н. Сомс, А. И. Степанов, В. К. Ступников


Аннотация: Рассмотрена температурная зависимость усиления импульсов длительностью ~10 нс в АИГ:Nd3+ в предположении значительного времени жизни нижнего рабочего уровня с учетом больцмановского распределения населенностей подуровней мультиплетов 4F3/2 и 4I11/2. Экспериментально подтверждена адекватность этой модели активной среды.

УДК: 01.044:621.375.32

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 02.06.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:6, 702–705

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024