RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 5, страницы 1038–1049 (Mi qe7078)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Неравновесные процессы при разлете высокотемпературного плазменного сгустка

Е. Л. Ступицкий, О. С. Любченко, А. М. Худавердян

Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Исследована ионизационная поуровневая релаксация при разлете высокотемпературного сгустка алюминиевой плазмы. Предлагается численная схема решения системы уравнений, описывающих весь комплекс кинетических процессов в двухтемпературной плазме. Рассмотрено влияние разлета и доплеровского сдвига частот на перенос резонансного излучения и получено аналитическое выражение для вероятности вылета квантов из плазменного объема. Получено пространственно-временное поведение плотности, электронной и ионной температуры, степени ионизации и населенностей уровней при разлете сгустка плазмы с начальной удельной энергоемкостью 109 Дж/г. Получена инверсия в населенностях ряда уровней (от AIXII до AIII в зависимости от массы плазмы). Рассмотрена возможность режима генерации за счет резонансного рассеяния на усиливающем переходе.

УДК: 533.9.16

PACS: 52.25.Jm, 52.25.Fi, 52.25.Os

Поступила в редакцию: 19.01.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:5, 682–688

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024