Оптимизация температурного интервала при ускоренных испытаниях гетеролазеров на основе Ga1–xAlxAs–GaAs

Исследованы причины отказов гетеролазеров на основе Ga_1–xAl_xAs–GaAs, подвергавшихся ускоренным испытаниям в непрерывном режиме генерации при различной температуре окружающей среды. Показано, что при температуре 100 °C и выше наряду с отказами из-за ухудшения структурного совершенства материала активного слоя прибора происходит деградация электрического контакта. Выявлен диапазон температур, пригодный для проведения ускоренных испытаний гетеролазеров с целью прогнозирования их срока службы.