Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs

Представлены спектрально-пороговые характеристики инжекционных лазеров в области 980 нм на основе квантоворазмерной гетероструктуры InGaAs/GaAlAs на GaAs-подложке с анизотропно деформированным активным слоем, а также результаты систематических исследований спектров допорогового спонтанного излучения в интервале температур 77–300 К. Зависимость энергии фотона hv лазерного излучения от пороговой плотности тока состоит из двух участков, причем низкопороговым образцам соответствует быстрое нарастание hv с ростом тока, а при плотности тока 0.6 кА/см² и более hv уже слабо зависит от тока. Это поведение связано с заполнением вначале нижних квантовых состояний, участвующих в рабочем переходе 1–1h, а затем – вторых квантовых состояний носителей. Нижние состояния обеспечивают модовое усиление на уровне 40–50 см^–1.