RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 5, страницы 1110–1112 (Mi qe7113)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Диаграмма направленности свечения МБМ-диода

Э. М. Беленов, А. Ю. Быковский, Н. Кроо, П. Н. Лускинович, Ж. Сентирмай, Е. М. Соболева, А. Г. Соболев, А. В. Усков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовалась диаграмма направленности свечения МБМ-диода, изготовленного на гладкой подложке. Экспериментально получено, что под углом 80° относительно нормали к плоскости диода яркость свечения для p-поляризованного света в 65 раз, а для s-поляризованного света в 16 раз больше интенсивности свечения вдоль нормали. Проведенный расчет показал, что для МБМ-диода, изготовленного на гладкой подложке, подобная угловая зависимость для p-поляризованной компоненты свечения при распаде поверхностных плазменных колебаний на границе диэлектрик – металл может определяться не только взаимодействием плазмонов с неоднородностями определенного размера пленки серебра, но может быть обусловлена соотношением диэлектрических проницаемостей сред.

УДК: 621.373.826

PACS: 85.30.Tv, 85.30.Hi, 85.60.Jb

Поступила в редакцию: 18.09.1984
Исправленный вариант: 11.11.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:5, 735–737

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024