И. И. Куратев, С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, Г. Н. Торопкин, В. Г. Янчук, “О механизме короткоживущего поглощения в кристаллах АИГ:Nd”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1299

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

О механизме короткоживущего поглощения в кристаллах АИГ:Nd

И. И. Куратев, С. П. Насельский, В. К. Новиков, А. И. Рябов, Г. Н. Торопкин, В. Г. Янчук

Аннотация: Исследован механизм образования короткоживущего поглощения в лазерных кристаллах из АИГ под воздействием УФ части излучения накачки. Показано, что процесс образования короткоживущего поглощения в кристаллах протекает с участием ионов двухвалентного железа.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.70.Hj, 78.20.Ci, 42.55.Rz, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 02.08.1984
Исправленный вариант: 19.11.1984