А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1309

Эта публикация цитируется в 26 статьях

Краткие сообщения

Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре

А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Двойные гетероструктуры GaAlSbAs/InGaSbAs/GaAlSbAs выращены методом жидкофазной эпитаксии на (100)-подложках p-GaSb. Получена генерация в диапазоне 1,9–2,3 мкм при комнатной температуре в импульсном режиме. Пороговая плотность тока на длине волны 2,29 мкм составила 20 кА/см². Это наиболее длинноволновый неохлаждаемый инжекционный лазер.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 81.15.Lm, 42.60.Jf, 81.05.Ea

Поступила в редакцию: 10.09.1984