Аннотация:
Проведены исследования полупроводниковых лазеров на основе GaAs и CdS с возбуждением несколькими близко расположенными и одновременно действующими пучками быстрых электронов. Обнаружено изменение направления генерации света, приводящее к существенному сокращению световых импульсов относительно продолжительности накачки. Показано, что это явление определяется наличием двух различных порогов генерации для взаимно перпендикулярных типов электромагнитных колебаний.