Зависимость характеристик быстрых электронов от параметров лазерного облучения

Рассмотрена простая модель образования быстрых электронов в поле кавитона. Получена зависимость температуры и числа быстрых электронов от плотности потока лазерной энергии и температуры плазмы в области критической плотности. С помощью модели стационарной короны характеристики быстрых электронов связываются с параметрами падающего лазерного излучения.