RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 8, страницы 1610–1616 (Mi qe7237)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение

П. Г. Елисеевab, Б. Н. Свердловab, И. Исмаиловab, Н. Шохуджаевab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе

Аннотация: Изучены спектральные характеристики инжекционных лазеров на основе двойных гетероструктур GalnAsP/InP (λ~1,08–1,61 мкм, 300 K) в зависимости от давления при одноосном сжатии с учетом внутренних остаточных напряжений в активном слое. Определены сдвиговые константы деформационного потенциала валентной зоны b = –2,0 ± 0,1эВ, b' = 1,0 ± 0,1 эВ и константа деформационного потенциала для изменения ширины запрещенной зоны α = – 10,6 ± 0,5 эВ для четверного состава, соответствующего длине волны ~1,3 мкм. Обсуждены механизмы, ответственные за влияние деформации на излучательные характеристики гетеролазеров на основе GalnAsP/InP.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 68.60.Bs, 73.20.At

Поступила в редакцию: 18.06.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:8, 1051–1055

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024