RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 7, страницы 1565–1567 (Mi qe7270)

Краткие сообщения

Излучательные характеристики инжекционного лазера с зигзагообразной мезаполосковой гетероструктурой на основе AlGaAs/GaAs

С. А. Алавердян, П. Г. Елисеев, H. Д. Жуков, А. И. Попов, И. А. Скопин, В. И. Швейкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Описан инжекционный лазер с зигзагообразной мезаполосковой структурой. Беспичковая генерация в импульсном режиме наблюдается до превышения порога в 2,5 раза Максимальная мощность излучения в одночастотном непрерывном режиме превышает 10 мВт. В непрерывном режиме с выходной мощностью 4–5 мВт лазеры работают в течение 103 ч при 300 K без существенной деградации.

УДК: 621.373.826.03.8.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 23.01.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:7, 941–942

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024