Численные расчеты коэффициентов усиления света на коротковолновых переходах гелиеподобных ионов в оптически тонкой плазме

Численно рассчитаны коэффициенты усиления света на коротковолновых переходах гелиеподобных ионов Li⁺ (λ = 168 нм), C⁴⁺ (26,7 нм), Al¹¹⁺ (4,59 7 нм) в оптически тонкой плазме. Исследуются случаи столкновительной и рекомбинационной накачек. Расчеты проводятся в рамках многоуровневой модели гелиеподобного иона в квазистационарном приближении с использованием уточненных атомных констант и скоростей переходов.