RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 7, страницы 1519–1521 (Mi qe7303)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Краткие сообщения

Импульсный многоэлементный полупроводниковый лазер с неустойчивым резонатором

О. В. Богданкевич, Н. Д. Воробьев, М. М. Зверев, С. П. Копыт, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, В. Ф. Певцов, В. А. Ушахин, В. К. Якушин

Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва

Аннотация: Впервые реализована схема импульсного многоэлементного полупроводникового лазера на сульфиде кадмия с неустойчивым резонатором. Получено сужение диаграммы направленности излучения до 30' при выходной мощности лазера 200 кВт.

УДК: 621.373.826.039.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 21.01.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:7, 1002–1003

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024