RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 9, страницы 1808–1814 (Mi qe7369)

Исследование УФ лазера на молекуле XeF* с накачкой эксимерным излучением

Н. Г. Басов, В. А. Данилычев, В. А. Долгих, О. М. Керимов, А. Ю. Самарин, Г. Ю. Таманян

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Получена генерация на 22 электронно-колебательных переходах молекулы XeF* в ближней УФ области спектра при возбуждении XeF2 излучением эксимеров Хе*2. Исследована зависимость энергии генерации на различных электронно-колебательных переходах от давления He, N2 и Ar. На основании полученных экспериментальных данных выполнена оценка констант расселения колебательных уровней с υ″ = 3,6,7 состояния X. КПД лазера с учетом эффективности использования излучения накачки составляет 2,3 %.

УДК: 621.375.826 038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 33.20.Lg, 33.20.Ni, 33.80.Be

Поступила в редакцию: 28.08.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:9, 1189–1193

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024