А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода”, Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1859

Эта публикация цитируется в 1 статье

Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведены теоретические и экспериментальные исследования оптического усилителя бегущей волны на основе двойной гетероструктуры AlGaAs/GaAs, работающего в непрерывном и импульсном режимах при комнатной температуре. Исследование характеристик усилителя показало, что максимальное значение усиления в активной области составляет 38 дБ и ограничено насыщением из-за спонтанного излучения. Полный аппаратный коэффициент усиления составил 14 дБ. Спектральная ширина полосы усиления достигает 3,6·10³ ГГц при неравномерности частотной характеристики 3 дБ.

УДК: 621.373.823.038.825.4

PACS: 42.60.Da, 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 26.06.1985