А. В. Шмалько, В. Ф. Ламекин, В. Л. Смирнов, А. С. Полянцев, Ю. И. Коган, Т. С. Бабушкина, Т. С. Кунцевич, О. Г. Пешковская, “Фотоприемные волноводные структуры на основе эпитаксиальных слоев InGaAs для оптических интегральных схем на полупроводниковых соединениях AIIIBV”, Квантовая электроника, 17:8 (1990), 1072

Волоконная и интегральная оптика

Фотоприемные волноводные структуры на основе эпитаксиальных слоев InGaAs для оптических интегральных схем на полупроводниковых соединениях A^IIIB^V

А. В. Шмалько, В. Ф. Ламекин, В. Л. Смирнов, А. С. Полянцев, Ю. И. Коган, Т. С. Бабушкина, Т. С. Кунцевич, О. Г. Пешковская

Научно-производственное объединение «Волна», Москва

Аннотация: Представлены результаты разработки и исследования фотоприемных волноводных структур на основе эпитаксиальных слоев твердых растворов In_xGa_1 – xAs для оптических интегральных схем (ОИС) на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V для диапазона длин волн 1,0–1,5 мкм. Разработаны два типа фотоприемных волноводных p-i-n-структур, выполненных в виде составного волновода и туннельно связанных волноводов. Изучены структурные параметры, чувствительность, спектральные и временные характеристики и темновой ток волноводных фотоприемников (ВФП) на основе разработанных фотоприемных волноводных структур в диапазоне длин волн 1,0–1,3 мкм. Максимальная спектральная чувствительность одного из типов ВФП составляет ~ 0,5 ± 0,1А/Вт, а темновой ток не превышает 10 ^– 7–10 ^– 8А.

УДК: 621.373.826:535.39

PACS: 85.60.Gz, 42.82.Et, 42.82.Bq, 85.40.-e, 81.15.Kk, 81.15.Gh

Поступила в редакцию: 02.11.1989