RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 9, страницы 1170–1175 (Mi qe7408)

Активные среды

Влияние сверхлюминесценции на усиление в активном элементе на основе органических соединений

В. С. Дудкин, Б. Я. Коган, Ю. В. Иванов, В. А. Подъячева

Научно-исследовательский институт органических полупродуктов и красителей, Москва

Аннотация: Влияние сверхлюминесценции на усиление в активном элементе (АЭ) рассмотрено в квазистационарном приближении. Показано, что ПВО в кювете АЭ является фактором, сильно ограничивающим усиление. При наличии потерь усиление $K$ с ростом длины кюветы (при неизменной плотности мощности накачки) вначале растет, достигая своего максимального значения, а затем снижается, причем $K\to0$ при $l\to\infty$. В отсутствие потерь $\exp K\infty l$.

УДК: 621.375.8.038.824

PACS: 42.55.Mv, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 78.55.Bq

Поступила в редакцию: 25.10.1988
Исправленный вариант: 08.09.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:9, 1079–1083

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024