RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 10, страницы 1277–1281 (Mi qe7438)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физические процессы в активных средах

Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг3+, Ег3+ в области 3 мкм при комнатной температуре

М. А. Ногинов, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, Г. Хубер, Х. Штанге, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально исследовано влияние процессов взаимодействия возбужденных ионов Ег3+ на генерационные характеристики 3-микронного лазера на кристалле ИСГГ:Сг3+, Ег3+ при накачке криптоновым лазером. Полученные результаты объяснены на основе спектроскопической модели этого кристалла.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Jf, 42.60.Pk

Поступила в редакцию: 02.11.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:10, 1185–1189

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024