RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 10, страницы 1327–1332 (Mi qe7453)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество

Механизм и кинетика образования и распада молекул НеН (B 2Π), HeD (B 2Π) при рекомбинации атомов Н (2р), D(2p) и Не

A. Б. Алексеев, А. Ф. Вилесов, В. С. Иванов, А. М. Правилов, И. И. Сидоров, О. Д. Шестаков

Научно-исследовательский институт физики при Ленинградском государственном университете

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы элементарные процессы, происходящие при рекомбинации атомов Н(2p), D(2p) и Не при T = 293 K. Показано, что на распад колебательных уровней состояния B 2Π молекул НеН, HeD сильно влияет индуцированная столкновениями предиссоциация с константой скорости, близкой к газокинетической, спектр хемилюминесценции в реакциях Н(2p) + Не, D(2p) + He при любых давлениях Не расположен в спектральной области λ = 121,6–130 нм, кинетика трехчастичной рекомбинации при P(He) > 200 мм рт. ст. становится бимолекулярной, константа скорости хемилюминесценции этого процесса при любых давлениях реагентов не превышает 2,5·10 – 14 фотон·см3/част.2·с.

УДК: 535.338.43

PACS: 33.50.Dq, 33.15.Mt, 34.50.Gb, 33.80.Gj, 82.30.Fi, 82.20.Pm

Поступила в редакцию: 16.08.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:10, 1236–1241

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024