RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 9, страницы 1897–1901 (Mi qe7478)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Отсутствие допороговой ионизации и эффекта накопления при многократном воздействии лазерного излучения на стекла

Л. Б. Глебов, О. М. Ефимов, Г. Т. Петровский


Аннотация: Проведены эксперименты по обнаружению допороговой ионизации и исследованию эффекта накопления при многократном воздействии лазерного излучения на стекла. Показано, что при многократном облучении объема стекол одночастотным лазерным излучением с < Eg/2 (Eg – потенциал ионизации матрицы стекла) эффект накопления центров окраски, допороговая ионизация матрицы и уменьшение порога пробоя отсутствуют. Наблюдающееся уменьшение порога пробоя при многократном воздействии многочастотного излучения связано с ростом вероятности появления высокоинтенсивных УКИ. При многократном воздействии на стекла излучения с > Eg/2 наблюдаются эффект накопления центров окраски и интенсивная допороговая ионизация вследствие двухфотонного возбуждения матрицы стекла.

УДК: 535.212:621.373.826:666.22

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Ms

Поступила в редакцию: 12.07.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:9, 1245–1247

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024