RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 9, страницы 1926–1928 (Mi qe7486)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Филаментационная неустойчивость релятивистски-интенсивных электромагнитных волн в плазме

Д. П. Гаручава, З. И. Ростомашвили, Н. Л. Цинцадзе

Институт физики АН ГССР, Тбилиси

Аннотация: Изучена филаментационная неустойчивость электромагнитных волн с учетом релятивистского эффекта и электронной стрикции. Найдены инкремент и пороговая интенсивность для полуограниченной однородной плазмы. Как релятивистский эффект, так и электронная стрикция способствуют развитию неустойчивости. С помощью численных расчетов исследован и случай неоднородной плазмы с линейным профилем.

УДК: 533.9

PACS: 52.35.Py, 52.38.Hb, 52.50.Jm, 52.27.Ny, 52.35.Hr

Поступила в редакцию: 02.12.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:9, 1267–1268

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024