RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 10, страницы 2015–2024 (Mi qe7535)

Электроразрядный He–N2-лазер

Ю. И. Григорянab, В. О. Папанянab, В. Ф. Тарасенкоab

a Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск
b Институт физических исследований АН Арм. ССР, Аштарак

Аннотация: Исследован гелий-азотный импульсный электроразрядный лазер с излучением на двух различных полосах N2+(B2Σu+X2Σg+) и N2(C3ПuB3Пg). При содержании азота порядка долей процента получена одновременная генерация на 427,8 и 337,1 нм с мощностью излучения ~ 0,1 МВт на каждой длине волны. Приведенная теоретическая модель позволяет получить аналитические выражения, описывающие зависимости энергии импульсов излучения от содержания азота, неона и полного давления. Введением малой примеси неона доказано, что накачка верхнего рабочего состояния N2+(B) осуществляется с помощью реакции перезарядки, а не прямым электронным ударом. Получены столкновительные константы дезактивации лазерных уровней и показано, что дезактивация состояния N2+(B) в тройных соударениях с молекулами азота существенно влияет на работу He–N2-лазера.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 52.80.-s, 42.60.Jf, 82.30.Fi

Поступила в редакцию: 22.07.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:10, 1329–1335

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024