RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 8, страницы 701–703 (Mi qe754)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью

И. А. Авруцкийa, С. А. Ахлестинаb, Е. М. Диановa, Н. Б. Звонковb, Е. Р. Линьковаb, Г. А. Максимовb

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород

Аннотация: Изготовлены и исследованы полупроводниковые инжекционные лазеры с трапециевидной активной областью. Продемонстрировано, что такое изменение формы активной области может приводить к формированию узкой диаграммы направленности излучения лазера.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:8, 682–684

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024