RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 10, страницы 2057–2066 (Mi qe7549)

Узкие магнитооптические резонансы высших порядков в неоне на переходе 3s2–2p4

Э. Г. Сапрыкин, В. П. Солдатов, В. А. Сорокин

Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: При взаимодействии интенсивной бегущей лазерной волны с переходом 3s2–2p4 неона в разностном магнитооптическом резонансе зарегистрирована узкая компонента, обусловленная насыщением поглощения высокого порядка. Эта компонента связана с индуцированной полем когерентностью между магнитными подуровнями с квантовыми числами ± 2 уровня 2p4 (гексадекапольным моментом) и использовалась для определения константы релаксации Γ4n. Значение столкновительного уширения ∂Γ4n/∂p, определенное в результате математической обработки магнитоспектрограмм, оказалось равным 3 ± 0,3 МГц/мм рт. ст. Столкновительное уширение константы релаксации выстраивания уровня 2p4, измеренное в тех же условиях, составило 4 ± 0,2 МГц/мм рт. ст.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 32.80.-t

Поступила в редакцию: 02.08.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:10, 1356–1361

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024