RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 2, страницы 427–428 (Mi qe7564)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Краткие сообщения

О влиянии добавок SF6 на эффективность генерации ксенонового ИК лазера

В. И. Держиевab, Н. Н. Ковальab, Г. А. Месяцab, A. М. Прохоровab, В. С. Скакунab, В. Ф. Тарасенкоab, В. С. Толкачевab, Е. А. Фоминab, С. И. Яковленкоab

a Институт общей физики АН СССР, Москва
b Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск

Аннотация: Исследовано влияние добавок SF6 на эффективность ИК генерации в смесях Аг–Хе и Не–Хе (0,75 и 1,5 атм) при накачке электронным пучком (0,05 А/см2, 30 мкс и 0,6 А/см2, 6 мкс). Показано, что при увеличении плотности тока пучка падение мощности лазерного излучения с ростом содержания примеси существенно замедляется в области давлений SF6 1,7–5,7 мм рт.ст. для смеси Ar–Хе и 5,45–22 мм рт.ст. для смеси Не–Хе.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 12.06.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:2, 269–270

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024