А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)

А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Созданы лазерные гетероструктуры на основе четверных твердых растворов InGaSbAs (активный слой) и GaAlSbAs (эмиттерные слои). Получена генерация на длине волны 2,4 мкм (пороговая плотность тока 7,6 кА/см² в четырехстороннем сколотом резонаторе при комнатной температуре). Достигнут непрерывный режим генерации на длине волны 2,1 мкм при охлаждении жидким азотом.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Da, 42.60.Pk, 42.70.Hj, 42.70.Nq

Поступила в редакцию: 12.05.1986