Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)

Анализируются характеристики реверсивных запоминающих сред, предназначенных для оптической записи информации, в том числе термомагнитных сред, используемых в дисковых накопителях. Рассмотрен новый класс оптоэлектронных сред на основе многослойных структур. Показано, что плотность записи информации на таких средах может достигать 10⁵ бит/мм², а энергия светового импульса, управляющего записью, не будет превышать 10^–12 Дж. Использование таких сред открывает широкие возможности для оптического программирования и резервирования. Темп обмена данных в оптоэлектронном запоминающем устройстве может достигать 10¹¹ бит/с.