RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 12, страницы 1561–1562 (Mi qe7605)

Активные среды

Влияние концентрации ксенона на интенсивность генерации с высоких вращательных уровней XeF-лазера

Н. Г. Зубрилин, П. И. Коренюк, М. П. Черноморец

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Экспериментально исследована зависимость спектра генерации электроразрядного XeF-лазера от концентрации ксенона в смеси. Установлено, что повышенное содержание Хе является необходимым условием существования генерации с высоких вращательных уровней.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 05.04.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:12, 1462–1463

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024