RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 8, страницы 1721–1724 (Mi qe7609)

Краткие сообщения

Влияние температуры LiF(F2) на моноимпульсный режим работы неодимового лазера на стекле

Н. Н. Ильичев, Н. П. Кущ, А. А. Малютин

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Измерено изменение пропускания пассивного лазерного затвора на LiF(F2) в зависимости от температуры. Дан способ выбора уровня накачки лазера на неодимовом стекле, обеспечивающий моноимпульсный режим работы в широком диапазоне температур. Применимость предложенного способа проверена экспериментально.

УДК: 621.373.826.038.825.3

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Ce, 42.60.Gd, 42.60.Rn

Поступила в редакцию: 03.12.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:8, 1135–1136

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024