RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 3, страницы 605–607 (Mi qe7645)

Краткие сообщения

Импульсно-периодический полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком

О. В. Богданкевич, М. М. Зверев, С. П. Копыт, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Л. Г. Новожилова, В. Ф. Певцов

Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва

Аннотация: Реализован импульсно-периодический режим работы многоэлементных полупроводниковых лазеров на основе кристаллов ZnO, ZnSe, CdS, GaAs. При комнатной температуре активного элемента, частоте следования импульсов 50 Гц и длительности импульсов 8 нс впервые достигнуты следующие значения средних мощностей излучения; 25 мВт (ZnO), 22 мВт (ZnSe), 125 мВт (CdS), 90 мВт (GaAs). Заменой активного элемента достигается дискретная перестройка длины волны генерации. Указанные параметры реализованы с помощью малогабаритного переносного источника накачки.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.70.Nq, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 05.05.1986
Исправленный вариант: 24.09.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:3, 373–375

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024