RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 9, страницы 1908–1913 (Mi qe7704)

Селективное воздействие лазерного излучения на молекулярные кристаллы

И. И. Ашмарин, Ю. А. Быковский, Б. С. Подольский, М. М. Потапов, А. А. Чистяков

Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Исследуются механизмы взаимодействия лазерного излучения видимого и УФ диапазонов с молекулярными кристаллами – нитропроизводными толуола. С помощью динамической масс-спектрометрии исследовались состав, энергия, динамика разлета продуктов взаимодействия. Обнаружен селективный аномально высокий относительный выход NO при воздействии резонансным УФ лазерным излучением с возбуждением π, π*-электронного перехода, а также при комбинированном облучении образца видимым и УФ излучением.

УДК: 621.373.826

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Pv

Поступила в редакцию: 07.09.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:9, 1259–1262

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024