Оптические потери в волокнах из As–S в области 0,8–1,6 мкм

Получены спектры оптических потерь волокон в области 0,8–1,6 мкм. Обнаружено существенное изменение оптических потерь под действием подсветки волокон видимым светом, что, по мнению авторов, вызвано явлением фотоиндуцированного поглощения света вследствие сильного взаимодействия неравновесных носителей заряда с локализованными состояниями запрещенной зоны халькогенидных стеклообразных полупроводников. Выявлена зависимость фотоиндуцированного поглощения от интенсивности подсветки. Установлено возрастание оптических потерь волокон из халькогенидных стекол, подвергнутых облучению потоком нейтронов 10¹⁷н/ см², вызванное появлением дополнительных дефектов, проявившееся в изменении поверхностного состава волокон.