RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 407–409 (Mi qe7825)

Письма в редакцию

Определение параметров активной среды рекомбинационного лазера на переходе иона BeIV

Б. А. Брюнеткин, В. М. Дякин, И. Ю. Скобелев, А. Я. Фаенов, С. Я. Хахалин

Всесоюзный научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Менделеево, Моск. обл.

Аннотация: Исследован процесс формирования активной среды рекомбинационного лазера на переходе 4f–5g иона BelV в разлетающейся лазерной плазме твердотельной мишени. Спектроскопическими методами измерены электронная плотность и температура в зоне генерации. По этим параметрам определен коэффициент усиления на переходе 4f–5g иона BeIV: на расстояниях от мишени $x\gtrsim0{,}4$ см он составляет $5\cdot10^{-2}-10^{-1}$ см$^{-2}$. Эти значения близки к полученным экспериментально из пороговых характеристик генерации.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 52.50.Jm, 42.60.Jf, 52.25.Jm, 52.70.Kz

Поступила в редакцию: 05.11.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:3, 271–272

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024