RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 457–462 (Mi qe7834)

Лазеры

Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP

И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Описаны планарные полосковые гетеролазеры С двухканальным ограничением на основе гетероструктуры с трехслойным волноводом в системе InGaAsP/InP. Лазеры работали в непрерывном режиме в спектральном диапазоне 1,3 мкм. Характерные пороговые токи npи T= 300 K составили 20–30 мА (минимальное значение 16 мА). Уровень мощности 10 мВт достигался вплоть до температуры 80°C, максимальная температура, при которой лазеры работали в непрерывном режиме, превышала 100°C. Максимальная мощность излучения при T = 300 K составила 42 мВт. Обсуждается взаимосвязь геометрии структуры и эффективности токового ограничения в лазерах данного типа. Проводится сравнение планарных полосковых лазеров с двухканальным ограничением и лазеров на основе зарощенной мезаполосковой структуры.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.60.Pk, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 17.12.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:3, 303–306

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024