Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследовалось влияние технологии изготовления диэлектрического барьера на спектр свечения МБМ-диода. Диэлектрический барьер изготавливался как электронно-лучевым распылением, так и ионной имплантацией. Показано, что различные технологические методы изготовления диэлектрического барьерного слоя влияют на электрофизические характеристики, но не на спектральные свойства туннельных МБМ-диодов. Это говорит о том, что плазменный механизм является главной причиной свечения МБМ-диода.