RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 10, страницы 2161–2162 (Mi qe7940)

Краткие сообщения

Спектры свечения структур металл–барьер–металл

П. Варга, Г. Вертоши, И. Дюлаи, Г. Киш, Н. Кроо, Ж. Сентирмай, Е. М. Соболева, А. Г. Соболев, С. И. Сагитов, А. В. Усков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовалось влияние технологии изготовления диэлектрического барьера на спектр свечения МБМ-диода. Диэлектрический барьер изготавливался как электронно-лучевым распылением, так и ионной имплантацией. Показано, что различные технологические методы изготовления диэлектрического барьерного слоя влияют на электрофизические характеристики, но не на спектральные свойства туннельных МБМ-диодов. Это говорит о том, что плазменный механизм является главной причиной свечения МБМ-диода.

УДК: 621.373.826

PACS: 85.30.Kk, 85.30.De

Поступила в редакцию: 17.01.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:10, 1423–1424

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024