RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 12, страницы 2456–2464 (Mi qe8075)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Аналитическая теория коэффициентов усиления света на переходах Н-ионов в свободно разлетающейся плазме

А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Теоретически рассмотрено усиление света на переходах Н-ионов при свободном разлете в вакуум полностью ионизованного сгустка плазмы цилиндрической формы (плазменного шнура). Предложена формула, описывающая выделение рекомбинационного тепла в многозарядной плазме в расчете на один акт тройной рекомбинации ядер. Получено аналитическое выражение, дающее временной ход коэффициента усиления в процессе разлета сгустка с учетом рекомбинационного нагрева электронов. Показано, что для реализации максимальных коэффициентов усиления начальные электронная плотность и температура, а также радиус шнура должны удовлетворять определенному соотношению. Снижение начальной плотности плазмы приводит к некоторому увеличению коэффициента усиления при значительном уменьшении энерговклада. Анализ поведения во времени коэффициента усиления позволяет сделать вывод о перспективности перехода 3–2. При начальных параметрах плазменного шнура N0= 1020см–3, R0 = 10 мкм, Z = 6 ожидаемый максимальный коэффициент усиления κ≈ 1 см–1.

УДК: 621.373.826:533. 9

PACS: 52.38.Kd, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 22.10.1984
Исправленный вариант: 22.01.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:12, 1623–1628

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024