RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 1, страницы 15–16 (Mi qe811)

Эта публикация цитируется в 29 статьях

Лазеры

GdVO4:Tm3+ — новая эффективная среда для двухмикронных лазеров с диодной накачкой

В. А. Михайловa, Ю. Д. Заварцевa, А. И. Загуменныйa, В. Г. Остроумовb, П. А. Студеникинa, Е. Хоманнb, Г. Хуберb, И. А. Щербаковa

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b The University of Hamburg, Germany

Аннотация: Экспериментально исследованы генерационные характеристики двухмикронного (λ = 1923 нм) микролазера на основе новой эффективной среды — кристалле ванадата гадолиния GdVO4:Tm. При накачке излучением сапфир:Ti-лазера достигнута мощность выходного излучения, равная 180 мВт, что соответствует абсолютному КПД 36% и дифференциальному КПД 55%. При накачке лазерным диодом дифференциальный КПД GdVO4:Tm-лазера составил 10%.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 27.08.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:1, 13–14

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025