Зависимость коэффициентов усиления катафорезных ОКГ от давления гелия и диаметра разрядной трубки

На основе известных механизмов накачки лазерных уровней рассчитываются и сравниваются с экспериментом зависимости коэффициентов усиления катафорезных ОКГ на Cd – Не, Se – Не и Sb – Не от давления гелия и диаметра разрядной трубки. Установлено, что с ростом давления гелия на ход указанных зависимостей существенно влияет уменьшение оптимальных концентраций рабочего вещества в разряде (ОКГ на Cd – Не и Se – Не) и уменьшение электронной температуры (ОКГ на Sb – Не). Обнаруженный рост коэффициента усиления при уменьшении диаметра трубки для этих ОКГ в основном определяется увеличением оптимальной концентрации рабочего вещества.