RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 11, страницы 2203–2207 (Mi qe8303)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Температурная зависимость коэффициента усиления и эффективных поперечных сечений генерационного перехода ~1,06 мкм в кристаллах гадолиний-скандий-галлиевого граната с хромом и неодимом

В. А. Беренберг, В. А. Бученков, В. Л. Евстигнеев, В. Г. Остроумов, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Для генерационного перехода ~1,06 мкм в кристалле ГСГГ:Cr, Nd в широком интервале изменения температуры исследованы температурные зависимости положения и полуширины линии люминесценции, коэффициенты усиления и резонансных потерь, определены эффективные поперечные сечения. Полученные результаты позволяют анализировать разные ситуации, возникающие в лазерных системах на кристаллах ГСГГ:Cr, Nd, и определять допустимые уровни нагрева активной среды, при которых лазерные излучатели обеспечивают требуемые энергетические характеристики.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 42.70.Hj, 78.55.Hx

Поступила в редакцию: 14.08.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:11, 1455–1458

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024