RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 11, страницы 2249–2254 (Mi qe8323)

Анизотропия нелинейности рефракции кристаллов CdS в области края собственного поглощения

А. А. Борщ, М. С. Бродин, В. П. Лукомский, В. Н. Семиошко

Институт физики АН УССР, Киев

Аннотация: Разработана методика измерения коэффициентов нелинейности показателя преломления в диссипативных средах, с помощью которой измерена нелинейность рефракции в широкозонных полупроводниках CdS в области края собственного поглощения в различных кристаллографических направлениях. Наблюдалась большая нелинейная восприимчивость χ(3) кристалла CdS в области однофотонного резонанса. Обсуждается природа обнаруженной анизотропии.

УДК: 535.530.182

PACS: 42.65.An, 78.20.-e

Поступила в редакцию: 28.08.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:11, 1483–1487

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024