Аннотация:
Разработана методика измерения коэффициентов нелинейности показателя преломления в диссипативных средах, с помощью которой измерена нелинейность рефракции в широкозонных полупроводниках CdS в области края собственного поглощения в различных кристаллографических направлениях. Наблюдалась большая нелинейная восприимчивость χ(3) кристалла CdS в области однофотонного резонанса. Обсуждается природа обнаруженной анизотропии.