RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 9, страницы 2071–2074 (Mi qe8386)

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Краткие сообщения

Особенности создания инверсной населенности на уровне 4I13/2 ионов эрбия в иттербий-эрбиевых стеклах

E. Ф. Артемьев, А. Г. Мурзин, Ю. К. Федоров, В. А. Фромзель


Аннотация: Проведено сравнительное исследование фосфатных, германатных и литиево-силикатных стекол, активированных ионами Yb3+ и Er3+, с целью определения их перспективности для создания усилителей коротких (10–8 с) импульсов с длиной волны λ = 1,54 мкм при лазерной накачке (λ = 1,06 мкм). Исследованы особенности спектрально-люминесцентных характеристик этих стекол и кинетика передачи энергии в них. Показано, что рост инверсной населенности на уровне 4I13/2 ионов Er3+ в литиево-силикатных и германатных стеклах сильно отстает от роста поглощенной энергии накачки. Обсуждены возможные механизмы такого аномального поведения. Теоретически и экспериментально показано, что главной причиной этого является обратный перенос энергии возбуждения от ионов Er3+ к ионам Yb3+, практически отсутствующий в фосфатных стеклах.

УДК: 621.373.535

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 09.02.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:9, 1266–1268

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024