Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Gaxln1–xAsySb1–y в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре

Реализован лазерный режим на твердом растворе Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y в интервале длин волн 1,86–2,2 (80 K) и 2,06–2,36 мкм (300 K). Исследованы основные характеристики такого лазера с накачкой электронным пучком. Максимально достигнутая мощность составила 110 Вт (80 K) и 38 Вт (300 K) при дифференциальной эффективности 5 и 3% соответственно.