Электрооптическая фазовая модуляция излучения в тонкопленочных волноводах на основе эпитаксиальных слоев GaAsP

Исследуется электрооптическая фазовая модуляция лазерного излучения в тонкопленочных волноводах на основе эпитаксиальных слоев GaAsP. В GaAs_0.15P_0.85 тонкопленочном волноводе толщиной 2,9 мкм экспериментально получена фазовая модуляция излучения с длиной волны 0,6328 и 1,15 мкм при частотах модуляции до 5 МГц и управляющих напряжениях на 1 рад сдвига фаз порядка 7 и 13 В соответственно.