RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 150–152 (Mi qe8418)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Краткие сообщения

Импульсный лазер на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ с высокой концентрацией активатора в частотном режиме

Х. С. Багдасаров, В. П. Данилов, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, А. А. Маненков, М. И. Тимошечкин, А. М. Прохоров

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Сообщается об импульсном лазере на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ (переход 4I11/24I13/2, λ = 2,94 мкм) при концентрациях активатора 30 вес.% (T = 300 K). Частота повторения f = 20 Гц получена в режимах свободной генерации и модулированной добротности. Отмечается, что стимулированное излучение на данном переходе при T = 300 K получено во всем концентрационном ряду системы Y3Al5O12–Er3Al5O12 при концентрациях Er3+ от 10 до 100 вес. %.

УДК: 621.375.8

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 27.05.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:1, 83–85


© МИАН, 2024