Аннотация:
Впервые детально экспериментально и теоретически исследовано влияние периодической модуляции накачки на автомодуляционный режим 1-го рода в кольцевом чип-лазере ИАГ:Nd с полупроводниковой накачкой. Показано, что возбуждение релаксационных колебаний вследствие параметрических процессов и прямого резонансного воздействия модуляции накачки существенно влияет на режимы генерации, временные, спектральные характеристики излучения и сценарий перехода к хаосу. Установлено, что при одних и тех же параметрах лазера могут сосуществовать несколько режимов генерации, в том числе квазипериодические режимы двух типов. Проведена классификация режимов генерации и исследованы области их устойчивости при изменении частоты и глубины модуляции.