RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 1, страницы 211–214 (Mi qe8454)

Краткие сообщения

Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs

В. С. Каргапольцев, Е. П. Малыгин, В. К. Малышев, В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. С. Семенов, О. Н. Таленский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Приведены результаты исследований излучательных характеристик лазерных диодов с областью свечения несколько микрометров. Особенность таких лазеров состоит в том, что они работают на одной продольной моде в широком диапазоне токов инжекции при температуре 77 K. Максимальная мощность генерации в одной моде достигала ~ 50 мВт в непрерывном режиме генерации. Одноканальные инжекционные лазеры обладают высокой когерентностью, длина когерентности составляет более 10 м. Проведено сравнение энергетических характеристик лазеров с шириной активной области 6 и 200 мкм, работающих в одночастотном режиме генерации. Показано, что одноканальные диоды в 10 раз эффективнее преобразуют электрическую энергию в когерентное излучение по сравнению с широкими диодами.

УДК: 621.382.3

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 15.07.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:1, 130–132


© МИАН, 2024