RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 10, страницы 2196–2201 (Mi qe8485)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Температурные напряжения в структуре «пленка – подложка» при лазерном импульсном нагревании

В. П. Вейко, Г. А. Котов, В. Н. Смирнов, Г. Д. Шандыбина, Е. Б. Яковлев

Ленинградский институт точной механики и оптики

Аннотация: Исследовано напряженное состояние, возникающее в системе «пленка – подложка» при импульсном лазерном воздействии. Согласно предложенной физической модели изменение вязкости диэлектрической подложки в течение импульса приводит к деформации поверхностного слоя подложки при остывании, что вызывает возникновение механических напряжений в пленке. Проведен эксперимент по воздействию лазерного излучения в допороговых режимах (меньше порога испарения) на хромовые пленки, нанесенные на диэлектрические подложки. Исследуется плотность трещин в зависимости от плотности светового потока, длительности лазерного импульса, а также от типа материала подложки. Сформулированы условия облучения, при которых растрескивания пленки не происходит.

УДК: 539.373

PACS: 68.25.+j, 42.60.He

Поступила в редакцию: 24.09.1980
Исправленный вариант: 22.02.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:10, 1338–1340

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024