RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 1, страницы 5–24 (Mi qe8559)

Молекулярно-пучковая эпитаксия – перспективный метод получения интегрально-оптических устройств. I. Инжекционные лазеры (обзор)

Ю. В. Гуляев, Г. Г. Дворянкина, В. Ф. Дворянкин, Н. Я. Черевацкий

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва

Аннотация: Проведен обзор исследований по созданию лазерных двухсторонних гетероструктур (ДГС) с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Сравниваются свойства инжекционных лазеров, полученных методами МПЭ и жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), оцениваются достижения и перспективы применения метода МПЭ для изготовления такого рода приборов более высокого качества.

УДК: 539.234:621.375.8.038.825.4

PACS: 68.55.+b, 42.55.Px, 81.15.Ef

Поступила в редакцию: 30.01.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:1, 1–12


© МИАН, 2024