RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 4, страницы 834–835 (Mi qe8600)

Активные среды, резонаторы

Влияние поля генерации на поглощение излучения накачки в трехуровневой системе

В. Ю. Баранов, Д. Д. Малюта, А. П. Стрельцов, С. В. Хоменко

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва

Аннотация: Для импульсного CF4-лазера наблюдалось уменьшение поглощения излучения накачки под действием поля генерации. Эффект обусловлен двухфотонными процессами и проявляется при малых отстройках частот излучений от резонанса. Результаты расчета, проведенного на основе стационарной трехуровневой модели, хорошо согласуются с экспериментом.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.55.Ks, 42.60.Da, 33.80.Wz, 33.80.Be

Поступила в редакцию: 10.07.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:4, 523–525

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024