Особенности температурного дрейфа частоты излучения полоскового полупроводникового лазера

Исследована перестройка частоты излучения полоскового полупроводникового лазера из-за разогрева активной области за время импульса накачки и при изменении тока накачки. Найдено, что скорость температурного дрейфа частоты излучения в полосковом лазере изменяется скачком при переходе от генерации на одной поперечной моде к генерации на другой. Показано, что с увеличением тока накачки частота может как увеличиваться, так и уменьшаться, а при некотором токе скорость перестройки частоты может обращаться в нуль. Указанные особенности обусловлены волноводным ограничением поля в активной области полупроводникового лазера.